PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 66

Около 59% меньшая задержка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.4 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 66
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 16.4
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 2038

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM