RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2928
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link