RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3096
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
UMAX Technology 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link