RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3756
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link