RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2821
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link