PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 27

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 23
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 17.4
Скорость записи, Гб/сек

8.4 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 3195

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB

модули RAM