RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
40
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2254
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KY7N41-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link