RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2821
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link