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PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Especificaciones
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PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2821
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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