RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2481
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link