RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2481
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M386B4G70BM0-YH92 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
CompuStocx (CSX) 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link