RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
11.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2062
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link