PNY Electronics PNY 2GB против Kingston 9905663-012.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 27

Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 24
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 15.0
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 2530

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

JUHOR JHD2666U1908JG 8GB

JUHOR JHD2666U1908JG 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

модули RAM