PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

PNY Electronics PNY 2GB против Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 28
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.2 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 16.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2487
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения