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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
16.2
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2487
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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