RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
10600
1900
Около 5.58% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
11.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
1900
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2387
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link