RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
1900
Autour de 5.58% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
45
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
1900
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2387
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link