RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
42
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2352
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link