RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3020
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link