RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
27
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
20
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
20.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3619
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link