RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2026
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link