RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3729
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link