RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2687
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link