RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
79
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,468.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
79
47
Скорость чтения, Гб/сек
3,061.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,468.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
422
2875
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Сравнения RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link