Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Причины выбрать
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,069.2 15.9

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 106

Около -266% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

106 29
Скорость чтения, Гб/сек

3,273.7 18.3
Скорость записи, Гб/сек

2,069.2 15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

734 3584

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB

Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM