RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,069.2
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
106
Около -242% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
106
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,273.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,069.2
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
734
3861
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Сравнения RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link