RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
86
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
86
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
1658
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link