RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
3343
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link