RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.3
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
3933
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link