RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
3692
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link