RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3692
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link