RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3371
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link