RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
4152
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link