RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3181
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link