RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3372
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link