Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB против Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB

-->

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Средняя оценка

Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB

Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.4 9.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5% выше полоса пропускания

Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB

Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 39

Около -11% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR3
Задержка в PassMark, нс

39 35
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 14.4
Скорость записи, Гб/сек

9.4 9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 12800

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1966 2179

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston KV0M5R-MIE 8GB

Kingston KV0M5R-MIE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM