RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.7
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
2545
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link