RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
2994
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link