RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
3076
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link