RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
19.1
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3509
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link