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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
14.2
19.1
写入速度,GB/s
13.6
14.7
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3509
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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