RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3198
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link