RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.7
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3300
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link