RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
67
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
67
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2042
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link