RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
67
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
67
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2042
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link