RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3260
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Lenovo 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link