RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
43
Около -5% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
41
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
7.8
Скорость записи, Гб/сек
7.7
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1512
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link