RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против INTENSO 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
INTENSO 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
43
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
12.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2061
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
INTENSO 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link