RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против INTENSO 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
INTENSO 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
43
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
12.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2061
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
INTENSO 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link