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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs INTENSO 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
11.4
12.1
写入速度,GB/s
7.7
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2061
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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INTENSO 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
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