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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
69
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
42
读取速度,GB/s
4,217.2
15.7
写入速度,GB/s
1,857.7
13.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3033
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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