Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

-->

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Средняя оценка

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Сообщить об ошибке

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Причины выбрать
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 43

Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 11.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 30
Скорость чтения, Гб/сек

11.4 16.8
Скорость записи, Гб/сек

7.7 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1823 3611

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

модули RAM